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场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完整绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为普遍的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。

MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管（MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor， MOSFET）。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。

结型场效应管

场效应管分结型场效应管和绝缘栅型场效应管两种，上图所示是结型场效应管的结构和符号，结型场效应管又分为N沟道和P沟道两种，上图为N沟道结构示意图，它是在一块N型硅棒两端各引出一个电极，一端称为源极S，另一端称为漏极D；在两侧分别扩散一个高浓度杂质的P型区，形成两个PN结（图中橙色和灰色部分），把两个P型区相连引出一个电极就是栅极G。

工作原理：在工作时，内部两个PN结施加反偏电压VGS，在漏源之间加正向电压VDS，漏极和源极之间只有N型沟道是电流流通的路径。打个比喻，把沟道想像成河流，把栅极比做两岸可以左右控制的闸门，由两岸各有一人向中间推拉闸门，进而控制水流的大小。P沟道和N沟道原理差不多，只不过中间沟道是P型沟道，两边栅极是N型区，和N沟道正好相反，这里就不多说了。

绝缘栅型场效应管：

绝缘栅型场效应管又名MOS管（以下简称MOS管），它的栅极和源漏极之间有一层二氧化硅的绝缘层，如上图所示。MOS管也有N沟道和P沟道两类，但每一类又分为增强型和耗尽型两种，因此总共有四种类型：N沟道增强型、P沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道耗尽型。凡是栅源电压为零时，漏极电流也为零的管子都是增强型管。凡是栅源电压为零时，漏极电流不为零时都属于耗尽型管。

上图是四种MOS管的电路符号，注意：衬底箭头朝内的是N沟道，衬底箭头朝外的是P沟道。

增强型MOS管工作原理：工作时，栅源之间不加电压时，漏源之间PN结是反向的，所以不存在导电沟道，即使漏源之间加了电压，导电沟电是关闭的，就不会有电流通过。当栅源之间加正向电压到一定值时，在漏源之间就会形成导电通道，使导电沟道刚刚形成的这个栅源电压叫做开启电压VGS，栅源之间电压越大，导电沟道越宽，从而使流过的电流越大。

耗尽型MOS管工作原理：工作时，栅源之间不加电压，同增强型MOS管不同，漏源之间存在导电沟道，因此只要在漏源之间加正向电压，就会产生漏极电流。并且，栅源之间加正向电压时，导电沟道增大，加反向电压时，导电沟道变小，流过的电流就会越小，同增强型MOS管相比，它可以在正、负值的一定范围内存在导电沟道。

场效应管的作用：

一、场效应管应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

二、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

三、场效应管可以用作可变电阻。

四、场效应管可以方便地用作恒流源。

五、场效应管可以用作电子开关。